4款热门无缓固态硬盘推荐 致态/三星/西部数据/金士顿ssd对比测评

出缓后立刻进入第二段TLC直写阶段，并且直写速度达到了惊人的2500MB/s左右。

当TLC区域用光后，进入了第三段WriteBack惩罚阶段，此时SSD要一边将SLC缓存中的数据重新释放为TLC区域，一边还要兼顾新数据的写入，所以性能有所下降。即便如此，在第三段的平均速度也能达到900MB/s上下，性能非常强劲。

接下来我们再来看看三星990 EVO Plus的写入曲线：

三星990 EVO Plus 1TB的SLC缓存给的有点小，空盘情况下只有108GB左右，不过缓内写入速度挺不错，能达到6200MB/s左右。

虽然不是全盘模拟方案，但是三星还是选择了把WriteBack惩罚前置，在SLC缓存耗尽后直接进入WriteBack惩罚阶段，写入速度大幅度下降至不到1000MB/s，并且波动很大，稳不下来。

感觉三星的存储固件部门有些吃老本了，这个懒惰的回收策略其实挺让人摸不着头脑的。本身990 EVO Plus给的SLC缓存就较小，不利于爆发式写入任务，这下出缓后直接进入性能惩罚？缓内缓外都没吃到红利，就让人有点麻爪。

西数SN770 1TB的全盘读写曲线如下图所示：

西数SN770采用的是典型的全盘模拟SLC缓存方案，虽然缓内空间很大，在空盘状态下达到了全盘的1/3容量，缓内写入的表现也不错，但是一旦遇到真正的超大量数据写入，SLC Cache耗尽后，写入速度就会一落千丈，WriteBack惩罚阶段直接跌落至500MB/s左右的速度。

本来以为SN770作为西数在PCIe4.0时代的旗舰级黑盘，会延续SN750的辉煌表现，没想到它只是SN550的进阶版而已。

接下来看看金士顿的全盘读写曲线，真的很有意思，值得多说几句：

金士顿NV3与西数SN770类似，也是采用了全盘模拟方案，使用剩余空间的1/3模拟SLC缓存，不过看到这条写入曲线后，我陷入了深深的矛盾，很难想象一条曲线既有TLC特征，又有点像QLC盘。

首先，金士顿NV3的SLC缓存占全盘的1/3左右，正常来说正好是TLC SSD模拟SLC的比例，到这里还没啥问题。

但是它出缓后的写入速度只有不到300MB/s，我只在Solidigm P41 Plus等QLC SSD中看到过这个速度，属实有点过于慢了，比SN770还慢。

而文章开头提过的，FlashID显示结果证明了我手头这块NV3确实是TLC颗粒——那你为啥要把参数和TBW标注得像块QLC SSD一样？为啥缓外写入速度要这么慢？盲猜金士顿NV3的固件其实是为了QLC颗粒调校的？再结合320TBW，只能说后续有大概率要偷摸换成QLC颗粒。

只能说阿金你是会玩整活儿的。

考虑到有的朋友还是有点懵，我们来对这款SSD的SLC缓存方案做个简单的解读吧。

1.以顺序写入一次全盘的耗时来对比，汇总成图表如下，可以看到致态TiPlus7100是毫无疑问最快的，耗时断崖式领先其他3位选手：

2.致态TiPlus7100的优势还在于，SLC缓存耗尽后会先进入TLC直写阶段，高达2500MB/s的写入直写速度同样能尽量保障写入效率，反观其他位选手出缓即断崖式掉速。

这就说明，如果需要单次超大容量的数据写入工作，致态TiPlus7100采用的动态SLC缓存方案更有优势的，效率更高、用时更短。

2.SLC缓外4K随机读取性能

SSD的小粒度随机存取性能是影响我们日常使用流畅性的关键。虽然SSD的真实运行过程是各种粒度、各种读写比例混杂的复杂流程，但是从4K小粒度随机读写的性能中，我们可以管中窥豹。

我们日常使用电脑时，打开软件或者加载游戏等操作，所访问的基本都是已经被挪出SLC Cache外的、在TLC区域内的数据。

在这种情况下，测试TLC区域内真实状态下的4K随机读取性能就是一件很有意义的事情。

这里为了保证测试前SSD能够进入脏盘稳态，先以128KB Q32T4顺序写入填盘两次后，再对4款SSD进行时长为600s的Q1T1 4K随机读取测试，最终得到了如下所示的SLC缓外4K随机读取速度曲线图。

将平均速度汇总成柱形图更方便对比：

致态TiPlus7100和新出的NV3并列在第一梯队，平均速度都达到35MB/s左右，基本没大差距。

西数SN770取得了第三名，达到了32.85MB/s。

反倒是同样最新发布的三星990 EVO Plus竟然还不到30MB/s，这是我万万没想到的。

3.4K随机长时间写入测试

这里简单科普下，一个SSD在正常工作期间会经历三个阶段，参考SNIA的提法，分别是：

FOB（Fresh Out of the Box）：就是全新的、刚开封的盘。经过安全擦除的SSD也近似于FOB状态。这个时候的盘所有的页都是空白的，任何写入操作都可以直接进行编程，不需要考虑擦除、垃圾回收等操作的影响。消费类SSD的标称性能都是处于这个状态。这个阶段的测试成绩可以看做是养精蓄锐之后的冲刺，漂亮，但不可持续。

Transition：过渡或者转换状态。这个状态的性能会明显低于全新时的表现，但是又高于稳定态。不同的SSD在这个阶段的性能表现和持续时间差异较大，这与主控、固件、介质都有关系。随着技术进步，较新式的数据中心SSD会比早期的SSD更容易度过这个阶段。这个阶段可以看做是跑步期间休息了一会儿，再次跑起来的时候显得还比较轻松，但也不可持续。

Steady State：稳定态或稳态。测试成绩比之前的要低，但波动不大了，譬如连续五次测试的平均性能变化不超过20%。这是长跑的真正状态，呼吸节奏均匀，对肌肉酸痛已经麻木，配速比较稳定。随着时间持续，性能可能会进一步下降，但变化比较平缓。

由于SSD在标称容量之外，还有一些保留的空间（OP），所以，为了在测试时确保所有页被写入，设计的写入量一定要明显大于标称容量，通常操作就是直接满盘写两遍进行预处理，然后进行4K随机写入，以观察写入速度是否能够收敛。

该项测试对于普通家用用户来说其实不用太在意，毕竟我们平时使用时都会有SLC缓存加速的，不过对于极少数重度生产力用户来说，可以通过该项测试来评估SSD的主控性能和固件调校水平。

在上面的测试环节中，我们已经对4款SSD进行了长时间顺序写入操作，正好完成了填盘预处理，所以抱着别浪费机会的想法，顺带着对这4款SSD也进行了Q1T1 4K随机写入60min的项目，记录写入曲线如下（为方便理解与对照，这里使用MB/s而不是IOPS作为单位）。

如图所示，致态TiPlus7100的写入曲线几乎没有离散，很收敛，不过遗憾的是稳定之后的QD1 4K随机写入速度有点慢。

三星990 EVO Plus，总体来说看起来收敛了，不过有部分降速到几乎为0的波动极大的情况出现，另外整体的写入速度同样也不快。

最新评论