HSPICE 2010.12 专业EDA设计工具 简体中文版

HSPICE 2010是一款由Synopsys公司推出的专业EDA设计工具，主要适用于一些电路设计工程师使用，它为使用者提供了丰富实用的EDA设计工具，并可以与其它专业软件兼容，比如Cadence,Workview等，该软件可以大大地提高电路仿真的精准度，这个是较为经典的一个版本，需要此款工具的朋友们欢迎前来下载使用。

基本介绍
HSPICE 可与许多主要的EDA 设计工具，诸如Cadence,Workview 等兼容，能提供许多重要的针对集成电路性能的电路仿真和设计结果。采用HSPICE 软件可以在直流到高于100MHz 的微波频率范围内对电路作精确的仿真、分析和优化。在实际应用中， HSPICE能提供关键性的电路模拟和设计方案，并且应用HSPICE进行电路模拟时，其电路规模仅取决于用户计算机的实际存储器容量

主要特色
- 准确度
金标准精确的电路仿真。
粗放型的支持最准确，最广阔的一套行业标准和专有的仿真模型。
- 性能
HSPICE刚刚得到更快了! Synopsys公司取得了HSPICE一个性能领先的单人和多核计算机上
显著加速细胞特性的应用，大型提取的网表，信号完整性和65 nm设计。
- 设计产量 - 过程变化和设备可靠性仿真
流程和互连变异 - 型号器件和互连线的变化
变化块 - 强大而灵活的机制来定义工艺变化的影响。
AC&DCMatch - 本地参数不匹配影响效率的统计模拟。
“智能”蒙地卡罗 - 即运行速度比传统蒙特卡罗技术快好几倍的通用统计模拟。
MOSRA器件的可靠性分析 - 仿真HCI和NBTI设备老化影响
- 董事会和包装设计完整性分析
增强型W-元素和S参数模拟信号完整性问题和支持SI分析。
支持大规模的500端口S参数
- 射频和高速仿真
最佳的RF模拟器PLL和VCO应用
最精确的射频仿真器
最快的射频仿真器
高容量的射频仿真，10000+晶体管既谐波平衡和射击牛顿算法
全面的解决方案模拟低噪声放大器，功率放大器，滤波器，AGC电路中，振荡器，混频器，乘法器，调制器，解调器，和压控振荡器。

使用说明
Hspice是一个模拟电路仿真软件，在给定电路结构和元器件参数的条件下，它可以模拟和
计算电路的各种性能。用Hspice分析一个电路，首先要做到以下三点：
(1) 给定电路的结构(也就是电路连接关系)和元器件参数(指定元器件的参数库);
(2) 确定分析电路特性所需的分析内容和分析类型(也就是加入激励源和设置分析类型);
(3) 定义电路的输出信息和变量。
Hspice规定了一系列输入，输出语句，用这些语句对电路仿真的标题，电路连接方式，组成电路元器件的名称，参数，模型，以及分析类型，以及输出变量等进行描述。
一 Hspice输入文件的语句和格式
Hspice输入文件包括电路标题语句，电路描述语句，分析类型描述语句，输出描述语句，注释语句，结束语句等六部分构成，以下逐一介绍：
1 电路的标题语句
电路的标题语句是输入文件的第一行，也成为标题行，必须设置。它是由任意字母和字符串组成的说明语句，它在Hspice的title框中显示。
2 电路描述语句
电路描述语句由定义电路拓扑结构和元器件参数的元器件描述语句，模型描述语句和电源语句等组成，其位置可以在标题语句和结束语句之间的任何地方。
(1) 电路元器件
Hspice 要求电路元器件名称必须以规定的字母开头，其后可以是任意数字或字母。除了名称之外，还应指定该元器件所接节点编号和元件值。
电阻，电容，电感等无源元件描述方式如下：
R1 1 2 10k (表示节点1 与2 间有电阻R1,阻值为10k 欧)
C1 1 2 1pf (表示节点1 与2 间有电容C1,电容值为1pf)
L1 1 2 1mh (表示节点1 与2 间有电感L1,电感值为1mh)
半导体器件包括二极管，双极性晶体管，结形场效应晶体管，MOS 场效应晶体管等，这些半导体器件的特性方程通常是非线性的，故也成为非线性有源元件。在电路CAD工具进行电路仿真时，需要用等效的数学模型来描述这些器件。
(a) 二极管描述语句如下：
DXXXX N+ N- MNAME
D 为元件名称，N+和N-分别为二极管的正负节点，MNAME 是模型名 ，后面为可选项：
AREA 是面积因子，OFF时直流分析所加的初始条件，IC=VD 时瞬态分析的初始条件。
(b)双极型晶体管
QXXXX NC NB NE MNAME
Q 为元件名称，NC NB NE 分别是集电极，基极，发射极和衬底的节点。缺省时，NS 结地。后面可选项与二极管的意义相同。
(c)结型场效应晶体管
JXXXX ND NG NS MNAME
J为元件名称，ND NG NS为漏，栅，源的节点，MNAME 是模型名 ，后面为可选项与二极管的意义相同。
(d)MOS 场效应晶体管
MXXXX ND NG NS NB MNAME
M为元件名称，ND,NG,NS,NB 分别是漏，栅，源和衬底节点。MNAME 是模型名，L沟道长，M为沟道宽。
(2) 元器件模型
许多元器件都需用模型语句来定义其参数值。模型语句不同于元器件描述语句，它是以“.”开头的点语句，由关键字.MODEL,模型名称，模型类型和一组参数组成。 电阻，电容，二极管，MOS 管，双极管都可设置模型语句。这里我们仅介绍MOS 管的模型语句，
其他的可参考Hspice帮助手册。
MOS 场效应晶体管模型
MOS 场效应晶体管是集成电路中常用的器件，在Hspice 有20 余种模型，模型参数有40――60 个，大多是工艺参数。例如一种MOS 模型如下：
.MODEL NSS NMOS LEVEL="3" RSH="0" TOX="275E-10" LD=.1E-6 XJ=.14E-6
+ CJ="1".6E-4 CJSW="1".8E-10 UO="550" VTO="1".022 CGSO="1".3E-10
+ CGDO="1".3E-10 NSUB="4E15" NFS="1E10"
+ VMAX="12E4" PB=.7 MJ=.5 MJSW=.3 THETA=.06 KAPPA=.4 ETA=.14
.MODEL PSS PMOS LEVEL="3" RSH="0" TOX="275E-10" LD=.3E-6 XJ=.42E-6
+ CJ="7".7E-4 CJSW="5".4E-10 UO="180" VTO="-1".046 CGSO="4E-10"
+ CGDO="4E-10" TPG="-1" NSUB="7E15" NFS="1E10"
+ VMAX="12E4" PB=.7 MJ=.5 MJSW=.3 ETA=.06 THETA=.03 KAPPA=.4
上面：.MODEL为模型定义关键字.
NSS 为模型名，NMOS为模型类型，LEVEL=3 表示半经验短沟道模型，后面RSH=0
等等为工艺参数。
(3) 电路的输入激励和源
Hspice中的激励源分为独立源和受控源两种，这里我们仅简单介绍独立源。独立源有独立电压源和独立电流源两种，分别用V 和I 表示。他们又分为直流源，交流小信号源和瞬态源，可以组合在一起使用。
(a)直流源
VXXXX N+ N- DC VALUE
IXXXX N+ N- DC VALUE
例如：VCC 1 0 DC 5v (表示节点1,0 间加电压5v)
(b)交流小信号源
VXXXX N+ N- AC >
IXXXX N+ N- AC >
其中，ACMAG 和ACPHASE 分别表示交流小信号源的幅度和相位。
例如：V1 1 0 AC 1v (表示节点1,0 间加交流电压幅值1v，相位0)
(c)瞬态源
瞬态源有几种，以下我们均只以电压源为例，电流源类似:
* 脉冲源(又叫周期源)
VXXXX N+ N- PULSE(V1 V2 TD TR TF PW PER)
V1 初始值，V2 脉动值，TD 延时，TR 上升时间，TF下降时间，PW脉冲宽度，PER 周期
例如：V1 5 0 PULSE(0 1 2NS 4Ns 4Ns 20NS 50NS)
* 正弦源
VXXXX N+ N- SIN(V0 VA FREQ TD THETA PHASE)
V0:偏置，VA:幅度，FREQ: 频率 ，TD :延迟，THETA: 阻尼因子，PHASE:相位
* 指数源
VXXXX N+ N- EXP(V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2)
V1初始值，V2中止值，TD1上升延时，TAU1上升时间常数，TD2下降延时，TAU2下降
时间常数
例如:V1 3 0 EXP(0 2 2ns 30ns 60ns 40ns)
* 分段线性源
VXXXX N+ N- PWL(T1 V1 )
其中每对值(T1，V1)确定了时间t=T1是分段线性源的值V1。
例如：Vpwl 3 0 PWL(0 1，10ns 1.5)
(4) 子电路
* 子电路语
句
.SUBCKT SUBNAM N1< N2 。。。>
子电路的定义由.SUBCKT 语句开始。SUBNAM是子电路名，N1< N2 。。。>是外部节点号
* 终止语句
.ENDS (表示结束子电路定义)
* 子电路调用语句
XYYYY N1< N2 。。。> SUBNAM
在Spice中调用子电路的方法是设定以字母X 开头的伪元件名，其后是用来连接到子电路上
的节点号，在后面是子电路名。
例如：.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4
具体运放电路描述
.ENDS
Xop 1 2 3 4 OPAMP (调用该运放子电路)
3 电路的分析类型描述语句
分析类型描述语句由定义电路分析类型的描述语句和一些控制语句组成，如直流分析
(.OP)，瞬态分析(.TRAN)等分析语句，以及初始状态设置(.IC),选择项设置(.OPTIONS)
等控制语句。它的位置可在标题语句和结束语句之间的任何地方。
(1) .TRAN(瞬态分析语句)
一般形式: .TRAN TSTEP TSTOP >
TSETP 为时间增量,TSTOP 为终止时间,TSTART 为初始时间(若不设定，则隐含值为0)
例如：.TRAN 1NS 10000NS 500NS (瞬态分析500—10000NS，步长为1NS)
(2).AC(交流分析语句)
在规定的频率范围内完成电路的交流小信号分析
.AC DEC ND FSTART FSTOP (数量级变化)
其中，DEC 为10 倍频，ND 为该范围内点的数目，FSTART初始频率，FSTOP 中止频率。
例如： .AC DEC 10 1 10K (指从1 到10KHZ范围，每个数量级取10 点，交流小
信号分析)
(3).DC(直流扫描语句)
是在指定的范围内，某一个独立源或其他电路元器件参数步进变化时，计算电路滞留输
出变量的相应变化曲线。
DC SRCNAN VSTART VSTOP VINCR <>
例如： .DC VIN 0.25 5.0 0.25 (表示电压源VIN 的值从0。25V扫描到5V,每次增量
0。25V)
(4).OPTION(可选项语句)
ACCT(打印出计算和运行时间统计)
LIST(打印出输入数据总清单)
NODE(打印出结点表)
NOMOD(抑制模型参数的打印输出)
具体电路的分析类型描述语句可查阅Hspice在线帮助。
4 输出描述语句
(1) 文本打印语句.PRINT
.PRINT TYPE ov1
TYPE 为指定的输出分析类型，如(DC);OV1 为输出变量名。
例如：.PRINT DC V(5)
(2) 文本绘图语句.PLOT
.PRINT TYPE ov1
5 注释语句
注释语句以”*”为首字符，位置是任意的，它为非执行语句。
6 结束语句
结束语句是输入文件的最后一行，用.END 描述，必须设置。
二 Hspice仿真示例
Hspice 可以执行各种模拟电路仿真，它的精度很高。通过点击桌面快捷方式
Hspice2001.4，启动Hspice界面如下:
Hspice模拟步骤如下：
(1) 由电路图提取网表或手工编写网表，注意网表文件以.sp结尾。例如，上图中电路网表文件为eyediag.sp;标题为：*Eye Diagrams;输出报告文件：eyediag.lis。
(2) 运行模拟，完成后检查输出报告文件后缀.lis文件察看模拟结果。
(3) 运行查看输出波形。
以下我们通过几个例子了解Hspice的网表文件格式，以及如何进行仿真。
1 简单RC网络电路
它的网表文件如下，文件名为quickRC.sp
A SIMPLE AC RUN
.OPTIONS LIST NODE POST
.OP
.AC DEC 10 1K 1MEG
.PRINT AC V(1) V(2) I(R2) I(C1)
V1 1 0 10 AC 1
R1 1 2 1K
R2 2 0 1K
C1 2 0 .001U
.END
注释：第一行A SIMPLE AC RUN 为标题行;
第二行.OPTIONS LIST NODE POST 为可选项设置，LIST 打印出元件总结列表;
NODE打印出元件节点表(element node table);POST 表示用何种格式储存模拟后
的数据，以便与其它工具接口。
第三行.OP 计算直流工作点。
第四行.AC DEC 10 1K 1MEG (指从1 到10KHZ范围，每个数量级取10点，交流小信号分析)
第五行.PRINT AC V(1) V(2) I(R2) I(C1) 打印交流分析类型的节点1，2 的电压，以及R2,C1 的电流
第六行V1 1 0 10 AC 1 表示节点1 与0 间，加直流电压10v 和幅值为1v 的交流电压。
第七至九行为电路描述语句。
第十行为结束语句。
我们首先通过点击打开编辑好的quickRC.sp文件，此时显示界面如下：
点击仿真，仿真完成后界面如下：
点击查看Hspice输出结果文件quickRC.lis，可以看到仿真后各种数据信息。
要查看输出的波形，点击，可以看到界面如下：
点击AC: A SIMPLE AC RUN，就可看到各种信号，如下所示：
双击要查看的信号波形，即可将该信号加入到波形框中，显示如下：
2 倒相器电路
它的网表文件如下，文件名为inv.sp
Inverter Circuit
.OPTIONS LIST NODE POST
.TRAN 200P 20N
.PRINT TRAN V(IN) V(OUT)
M1 OUT IN VCC VCC PCH L="1U" W="20U"
M2 OUT IN 0 0 NCH L="1U" W="20U"
VCC VCC 0 5
VIN IN 0 0 PULSE .2 4.8 2N 1N 1N 5N 20N
CLOAD OUT 0 .75P
.MODEL PCH PMOS LEVEL="1"
.MODEL NCH NMOS LEVEL="1"
.END
注释：第三行.TRAN 200P 20N 表示瞬态分析步长为200ps，时间为20ns
第四行.PRINT TRAN V(IN) V(OUT)表示打印节点in，out 电压瞬态分析值
第五，六，九行为电路连接关系描述语句。
第七行VCC VCC 0 5表示在节点VCC，0之间加5v直流电压。
第八行VIN IN 0 0 PULSE .2 4.8 2N 1N 1N 5N 20N表示在节点IN，0之间加一个脉冲源，低电平0.2v,高电平4.8v，延时2ns，上升沿1ns，下降沿1ns，脉冲宽度5ns，周期20ns
第九，十行为模型语句，表示模型名PCH，管子类型为PMOS，使用的是一级模型。
对倒相器电路仿真的步骤类似于前面，这里仅列出输出波形供参考：
3 D 触发器电路
前面我们用Workview工具创建了一个D 触发器，并提取了它的电路网表，在这里我们为该网表文件加入激励源和分析语句，并使用Hspice 进行模拟仿真。修改后的网表文件如下，文件名为dff.sp：
* Project DFF
* Powerview Wirelist Created with Version 6.2
* Inifile :
* Options : -h -d -n -m -x -c60 -le:\work\zzz.sp
*
Levels :
.OPTIONS LIST NODE POST
.include "e:\model\35model.txt"
* Definition for project INVERTER
.SUBCKT INVERTER IN OUT
M2 OUT IN 0 0 NSS L="0".35U W="1".2U
M1 VDD IN OUT VDD PSS L="0".35U W="2".4U
* CROSS-REFERENCE 1
* GND = 0
.ENDS
* Definition for project TRANSFER
.SUBCKT TRANSFER IN OUT CLKF CLK
M1 OUT CLKF IN VDD PSS L="0".35U W="1".2U
M2 IN CLK OUT 0 NSS L="0".35U W="1".2U
* CROSS-REFERENCE 1
* GND = 0
.ENDS
X1I1 N1N19 N1N21 INVERTER
X1I2 N1N21 N1N16 CLK N1N10 TRANSFER
X1I3 N1N16 N1N19 INVERTER
X1I4 CLK N1N10 INVERTER
X1I5 Q N1N29 INVERTER
X1I6 QF Q INVERTER
X1I7 N1N29 QF N1N10 CLK TRANSFER
X1I8 D N1N16 N1N10 CLK TRANSFER
X1I9 N1N19 QF CLK N1N10 TRANSFER
* DICTIONARY 1
* GND = 0
.GLOBAL VDD
vin D 0 PULSE .2 2.8v 2N 1N 1N 20N 50N
vdd VDD 0 3v
Vclk clk 0 0 PULSE .2 2.8v 2N 1N 1N 5N 20N
.tran 1ns 200n
.END
注释：以上黑体字为对Workview生成网表的修改。
(1).OPTIONS LIST NODE POST 为可选项设置
(2).include "e:\model\35model.txt"表示加入0。35um工艺库文件，注意一定要指定工艺库文件，否则Hspice无法仿真。另外，库路径一定要指定正确，否则会找不到库文件。
(3)vin D 0 PULSE .2 2.8v 2N 1N 1N 20N 50N
vdd VDD 0 3v
Vclk clk 0 0 PULSE .2 2.8v 2N 1N 1N 5N 20N
上述为加入的输入激励和电压源语句。
(4).tran 1ns 200n
指定瞬态分析200ns，分析步长1ns
将修改好的dff.sp文件存盘，注意后缀以.sp结尾。然后打开该文件，运行Hspice仿真